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背散射電子（BSE）是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產生的高能電子。背散射電子（BSE）的產率，即出射的背散射電子（BSE）數(shù)與入射電子數(shù)之比，取決于樣品平均原子序數(shù)：平均原子序數(shù)越高，或元素越重，襯度就越亮。在飛納臺式掃描電鏡中，背散射電子是通過放置在樣品上方的四分割半導體探測器檢測到的。在這篇博客中，將解釋什么是半導體探測器，以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測背散射電子。
背散射電子的發(fā)射
當入射電子擊中樣品表面時，入射電子與原子的原子核相互作用，并偏離其軌跡，如圖1所示。
圖1：入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖
如果條件合適，入射電子可以被散射回來，并脫離樣品表面，保持其高能量。一般來說，較重的元素，因為它們的原子核較大，可以比較輕的元素更強烈地偏轉入射電子。因此，在掃描電鏡圖像中，像銀這樣的重元素（原子序數(shù)為47）與原子序數(shù)為14的輕元素（如硅）相比顯得更加明亮，因為更多的背散射電子從樣品表面發(fā)射出來。
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